Разгон rx580 nitro

Привет! Подскажите есть сапфир 580 8гб нитро(не плюс) качество чипа 76%, зашил с помощью Поларис про, тайминги кнопкой сделал автоматом. Память не гонится больше чем 2070, на ядре сделал 900мв и 1020мгц, получаю 29.4мх при 96вт,и 50град, делаю память чуть выше, появляются артефакты, но также заметил что фактическое напряжение выше, обычно в районе 950, также заметил если прибавить память ещё чуть то резко возрастает потребление вплоть до 140вт и напряжение ядра. Отсюда вопросы, больше мх не выжму никак? Напряжение памяти стоит трогать, и как? Как связаны частоты памяти и ядра? Я заметил что существует некая оптимальная частота ядра, при которой максимальный хешрейт, если сделать чуть выше то хешрейт снижается, не понимаю как это работает. Также есть сапфир 570, у которой потребление 106 но при этом она одновентиляторная, имеет гораздо ниже качество чипа, даёт больше хешей, до 31 и при этом меньше греется. Ничего не понимаю. Это все я делал в тимред. Также, насколько критичны некие ошибки hw в окне майнера и сколько их может быть?

по частоте зависит от типа памяти и таймингов:
память самсунг 2050-2150 , ядро 1150-1200 МГц
память микрон 2200-2250, ядро 1200-1240 МГц
память хуникс 2150-2250, ядро 1170-1240 МГц

напряжение у “Полярисов” изменяется с шагом 6.25 мВ. Есть ещё понятие “офсет” - разница между напряжениями контроллера памяти и ГПУ (попадались карты без офсета). Поэтому если хочется 875мВ на ГПУ (например), то придётся снижать напряжение на контроллере памяти.

1 Like

Для RX 5xx лучше работает Феникс. Он долго копается с настройкой при включении, но по итогу дает больше хешей, чем TeamRed.

а как же хваленый самсунг? и подскажите как мне попробовать выжать больше, или это около предела для этих карт? Феникс сегодня попробую и отпишусь что получилось